ترانزیستور‌های اثر میدان گالیوم آرسناید (GaAs) در کاربرد‌های مدار‌ات مجتمع مایکروویو در باند فرکانسی X بسیار حیاتی هستند زیرا دارای توان راه‌اندازی پایین، راندمان بالا و پایداری بهتری هستند. ترانزیستور‌های GaAs MESFET به طور فزاینده‌ای در کاربرد‌های سیگنال بزرگ مایکروویو مثل تقویت‌کننده توان و اسیلاتور‌ها به به کار می‌روند. همان‌طور که می‌دانیم، شرط لازم برای دستیابی ما به یک طراحی معتبر در نرم‌افزار ADS، شدیدا وابسته به بایاس صحیح و با دقت مدل تقویت‌کننده GaAs MESFET  در کلاس A می‌باشد که مشخصه اصلی آن رفتار خطی‌اش می‌باشد. بنابراین برای توصیف مشخصه کاری یک GaAS MESFET کار‌های زیادی انجام داده شد و مدل‌های تحلیلی مختلفی بررسی شد. در میان مشخصات غیرخطی ترانزیستور‌های اثر میدان، مهم‌ترین آن‌ها عبارتند از کارایی درین-سورس و بار خطی گیت با توجه به ولتاژ درین-سورس و گیت-سورس. شایان ذکر است که دقت و صحت مدل بار بر نتایج شبیه‌سازی‌های وابسته به فرکانس مثل پارامتر‌های S و نیز بر ویژگی‌های خطی شامل پایداری و ماکزیمم بهره، تاثیر می‌گذارد.