بررسی مدارهای Dual Vth، Multi Vth و Variable Vth
40,000تومان
جزئیات گزارش : ۳۹ صفحه فایل ورد
تحقیق و بررسی مدارهای Dual Vth، Multi Vth و Variable Vth
گزارش درس مدارهای توان پایین
بررسی مدارهای Dual Vth، Multi Vth و Variable Vth
در این گزارش، با استفاده از روشهای Multi threshold، Dual threshold و Variable threshold، نحوه کاهش توان مصرفی بررسی شد. در این مدارها با استفاده از تغییر ولتاژ آستانه ترانزیستورها میتوان توان مصرفی و تاخیر را کنترل کرد. در روش Multi threshold با اضافه کردن دو ترانزیستور PMOS و NMOS با ولتاژ آستانه بالا به ترتیب در بالا و پایین مدار اصلی میتوان جریان نشتی را کاهش داد. در این ساختار اندازه ترانزیستور اضافه شده بسیار مهم است. در روش Dual threshold قسمتی از مدار با ولتاژ آستانه پایین و قسمت دیگری با ولتاژ آستانه بالا پیادهسازی میشود. قسمتی که با ولتاژ آستانه بالا پیادهسازی میشود برای کاهش جریان نشتی و قسمتی که با ولتاژ آستانه پایین پیادهسازی میشود برای افزایش کارایی و سرعت مدار است. در روش Variable threshold با استفاده از تغییر ولتاژ بدنه ترانزیستورها ولتاژ آستانه را تغییرمی دهند که میتواند باعث کاهش جریان نشتی در حالت خاموشی شود اما میتواند باعث افزایش نویز و به وجود آمدن پدیده قفل شدگی شود. با توجه به افزایش جریان نشتی در اثر پیشرفت تکنولوژی، این روشها میتوانند در روند کاهش توان مصرفی اثر مطلوبی داشته باشند.