بررسی مدارهای Dual Vth، Multi Vth و Variable Vth

40,000تومان

جزئیات گزارش : ۳۹ صفحه فایل ورد

توضیحات

تحقیق و بررسی مدارهای Dual Vth، Multi Vth و Variable Vth

گزارش درس مدارهای توان پایین

در این گزارش، با استفاده از روش­های Multi threshold، Dual threshold و Variable threshold، نحوه کاهش توان مصرفی بررسی شد. در این مدارها با استفاده از تغییر ولتاژ آستانه ترانزیستورها می­توان توان مصرفی و تاخیر را کنترل کرد. در روش Multi threshold با اضافه کردن دو ترانزیستور PMOS و NMOS با ولتاژ آستانه بالا به ترتیب در بالا و پایین مدار اصلی می­توان جریان نشتی را کاهش داد. در این ساختار اندازه ترانزیستور اضافه شده بسیار مهم است. در روش Dual threshold قسمتی از مدار با ولتاژ آستانه پایین و قسمت دیگری با ولتاژ آستانه بالا پیاده­سازی می­شود. قسمتی که با ولتاژ آستانه بالا پیاده­سازی می­شود برای کاهش جریان نشتی و قسمتی که با ولتاژ آستانه پایین پیاده­سازی می­شود برای افزایش کارایی و سرعت مدار است. در روش Variable threshold با استفاده از تغییر ولتاژ بدنه ترانزیستورها ولتاژ آستانه را تغییرمی ­دهند که می­تواند باعث کاهش جریان نشتی در حالت خاموشی شود اما می­تواند باعث افزایش نویز و به وجود آمدن پدیده قفل­ شدگی شود. با توجه به افزایش جریان نشتی در اثر پیشرفت تکنولوژی، این روش­ها می­توانند در روند کاهش توان مصرفی اثر مطلوبی داشته باشند.