کاشت یون-Ion Implantation

55,000تومان

جزئیات گزارش: ۵۵ صفحه فایل ورد به زبان فارسی و ۷۳ صفحه فایل پاورپوینت به زبان لاتین

توضیحات

کاشت یون-Ion Implantation

گزارش کار درس تئوری و تکنولوژی نیمه‌هادی‌ها

کاشت یون-Ion Implantation

پارامترهای مهم در روش کاشت یون برای پیش بینی توزیع ناخالصی ها, مشخصات یون , نوع اتمهای ویفر و انرژی اولیه یون می باشد.در حالیکه در روش نفوذ علاوه بر عوامل فوق , پارامترهای فشار ,درجه حرارت و زمان نیز در توزیع ناخالصیها نقش دارند. از خصوصیات مهم این روش , قابلیت کنترل دقیق توزیع اتمهای ناخالصی و قابلیت تکرار ان می باشد. در فرایند کاشت یون , یونهای ناخالصی با انرژی کافی به سطح ویفر پرتاب می شوند.انرژی این یونها عموما بین kev1 تا mev1 بوده و می توانند تا عمق متوسطی بین ۱۰۰ انگسترم تا ۱۰ میکرومتر در داخل ویفر نفوذ نمایند. بدلیل انجام عملیات در محیط خلاء و بخصوص دمای پایین محیط آلودگیهای که در روشهای دیگر وجود دارد, دراین روش ایجاد نمی گردد.