تقویت کننده گالیم آرسناید MESFET

89,000تومان

جزئیات: شبیه‌سازی در نرم‌افزار ADS 2011 به همراه گزارش ورد، فایل پاورپوینت و ترجمه مقاله

عنوان مقاله: Novel technique developed to design and simulation RF amplifier using GaAs MESFET in ADS tool

عنوان مجله و سال انتشار: International Conference on Computational Intelligence and Communication Networks, 2013

توضیحات

تقویت کننده گالیم آرسناید MESFET

شبیه‌سازی تقویت‌کننده RF با نرم‌افزار ADS

تقویت کننده گالیم آرسناید MESFET:

 ترانزیستور‌های اثر میدان گالیوم آرسناید (GaAs) در کاربرد‌های مدار‌ات مجتمع مایکروویو در باند فرکانسی X بسیار حیاتی هستند زیرا دارای توان راه‌اندازی پایین، راندمان بالا و پایداری بهتری هستند. ترانزیستور‌های GaAs MESFET به طور فزاینده‌ای در کاربرد‌های سیگنال بزرگ مایکروویو مثل تقویت‌کننده توان و اسیلاتور‌ها به به کار می‌روند. همان‌طور که می‌دانیم، شرط لازم برای دستیابی ما به یک طراحی معتبر در نرم‌افزار ADS، شدیدا وابسته به بایاس صحیح و با دقت مدل تقویت‌کننده GaAs MESFET  در کلاس A می‌باشد که مشخصه اصلی آن رفتار خطی‌اش می‌باشد. بنابراین برای توصیف مشخصه کاری یک GaAS MESFET کار‌های زیادی انجام داده شد و مدل‌های تحلیلی مختلفی بررسی شد. در میان مشخصات غیرخطی ترانزیستور‌های اثر میدان، مهم‌ترین آن‌ها عبارتند از کارایی درین-سورس و بار خطی گیت با توجه به ولتاژ درین-سورس و گیت-سورس. شایان ذکر است که دقت و صحت مدل بار بر نتایج شبیه‌سازی‌های وابسته به فرکانس مثل پارامتر‌های S و نیز بر ویژگی‌های خطی شامل پایداری و ماکزیمم بهره، تاثیر می‌گذارد.