ترانزیستور I-MOS (Impact-Ionization MOS)

ترانزیستور I-MOS (Impact-Ionization MOS)

یکی از مشکلات اساسی با پیشرفت تکنولوژی در ترانزیستورهای ماسفت، محدودیت دمای اتاق برای ۶۰mV/dec در شیب ناحیه زیر آستانه است. به همین دلیل ترانزیستورهای I-MOS از مدولاسیون گیت به عنوان ولتاژ شکست از یک دیود p-i-n برای سوئیچ از حالت خاموش به روشن و برعکس استفاده می­کنند. نتایج به­دست­آمده از ترانزیستورهای I-MOS نشان می­دهد که این ترانزیستور می­تواند جایگزین خوبی برای ترانزیستورهای CMOS در کاربردهای توان پایین و عملکرد بالا در مدارهای دیجیتال است. در ۵۰ سال اخیر در صنعت نیمه­ هادی پیشرفت تکنولوژی نیازمند کاهش ولتاژ تغذیه بوده است. کاهش ولتاژ تغذیه، کاهش توان دینامیکی را در بر دارد.

ترانزیستورهای I-MOS