اکسیداسیون-Oxidation در فرایند ساخت

اکسیداسیون-Oxidation پس از طي مراحل مختلف، ويفر سيليسيومي براي ساخت قطعات الکترونيکي آماده مي­شود. يکي از ويژگي­هاي بسيار مهم سيليکون که آن را براي ساخت قطعات نيمه ­هادي مناسب ساخته است، رشد آسان اکسيد بر روي آن مي­باشد. اين لايه حتي در دماي اتاق نيز بر روي سيليکون شکل مي­گيرد، اما کيفيت آن (شامل چگالی، ثابت دی الکتریک، استحکام مکانیکی و…)براي کاربرد­هاي الکترونيکي، مناسب نمي­باشد. لايه اکسيد مناسب بر روي ويفر در دماهاي بالا و در حضور اکسيژن رشد داده مي­شود.سیليکون يک نيمه ­هادي است، اما اکسيد آن، يک عايق بسیار عالی مي­باشد. اين ترکيب، ( لايه دي ­الکتريک تشکيل شده بر روي يک نيمه­هادي) به همراه ساير ويژگي­هاي دي­ اکسيد سيليکون(SiO₂)، آن را به يکي از پر­کاربردترین لايه ها در فرآيند ساخت قطعات الکترونيکي تبديل کرده است. همچنین اکسید ذاتی سیلیکون(SiO₂)، یکی از برتری های ذاتی سیلیکون نسبت به دیگر نیمه هادی هاست.

اکسیداسیون