مدارهای مجتمع حالت جریان

مدارهای مجتمع حالت جریان

مدارهای مجتمع حالت جریان

مدارهای مجتمع حالت جریان

در ابتداي پيداِیش مدارات مجتمع, تكنولوژي دو قطبي (Bipolar tech.) غالب بود. ظهور FET و CMOS كم مصرف و شيوع روشهاي پردازش ديجيتالي باعث پيدايش تكنولوژي CMOS شد. ضعف تكنولوژي دو قطبي در ساخت خازنهاي دقيق و سوئيچهاي كيفي از طرفي و امتيازات اقتصادي (مصرف كم، ارزاني ساخت) تكنولوژي CMOS، سازگاري بيشتر آن با روشهاي ديجيتالي و توانايي بيشتر در ساخت خازنها و سوئيچهاي دقيق از طرف ديگر باعث غلبه اين تكنولوژي بر تكنولوژي دوقطبي شد.

محدوديت هاي فركانسي، gm كمتر، نويز و افست بيشتر تكنولوژي CMOS، تكنولوژي هاي ديگري چون BiFET، BiCMOS و GaAs را به ميدان آورد. در جدول (۱) تصويري تقريبي از ارتباط بين تكنولوژي هاي مختلف موجود و تكنيكهاي آنالوگ و ديجيتال با پهناي باند به عنوان مهمترين پارامتر كاربردي و تنگناي چالشي صنعت نشان داده شده است. از طرف ديگر جدول ۲ نمايي از جهت گيري تكنولوژي ساخت و دستاوردهاي احتمالي آن را در دهة جاري نشان مي‌دهد. تأثيرات مثبت و منفي اين جهت گيري در شكل ۱ نشان داده شده است. امروزه و در صورت اصرار بر حفظ تكنيكهاي مداري موجود تضادهاي جدي بين مزايا و معايب بهبود تكنولوژي CMOS طراحان مدار مجتمع و صاحبان صنعت را به بن بستي جدي تر خواهد كشاند.

كاهش ابعاد، از طرفي كاهش ولتاژ “ارلي” و امپدانس خروجي عناصر فعال و در نتيجه كاهش بهرة ذاتي و كارآمدي آنها در پردازش سيگنالهاي ولتاژي را سبب شده و از طرف ديگر سقف ولتاژ هاي تغذيه و دامنة تغييرات سيگنالهاي ولتاژي مورد پردازش را در شرايط كارامن قطعات كاهش داده است. اين عوامل گرچه باعث دستاوردهاي بسيار مثبت اقتصادي است اما به دليل محدود سازي تغييرات سيگنال ولتاژ در تضاد جدي با نيازهاي روز (و البته در صورتي كه بر پردازش سنتي ولتاژ اصرار شود) مي‌باشد.

جدول (۱) محدودة كاربردي فركانسي تكنولوژيهاي مختلف و تكنيكهاي آنالوگ و ديجيتال

 

جدول ۲: بهبود تكنولوژي ساخت و اثرات آن

شكل ۱: تأثيرات (+) و (-) بهبود تكنولوژي CMOS

 

ثابت بودن تقريبي سطح نويز و كاهش سريع سطح ولتاژ تغذيه در تكنولوژي CMOS (شكل ۲) باعث كاهش شديد محدودة ديناميكي شده و رسيدن به دقتهاي با بيت بالا را غير ممكن مي‌سازد.

شكل ۲: كاهش محدوده ديناميكي همراه با كاهش سطح تغذيه در مدارات الكترونيك

براي عملكرد خوب در دقت ۱۲ بيت به ولتاژ تغذيه حداقل ۳ ولت و براي دقت ۱۶ بيت به ولتاژ تغذيه ۵ ولتي نياز مي‌باشد . چالش اساسي بين تكنيك پردازش ولتاژي و روند غير قابل بازگشت بهبود تكنولوژي از همين جا آغاز مي‌شود. آثار منفي اين چالش را مي‌توان تا حدودي در عدم تحقق حداقل ابعاد عناصر (Feature size) و سطح ولتاژ استاندارد پيش بيني شده (دو سطر آخر جدول ۲) و همچنين توان مصرفي بالا در برخي كاربردها عليرغم امکان كاهش نسبي توان , دانست.

سرانجام اين چالش چه خواهد شد؟ آيا توسعه علمي كه در قالب بهبود تكنولوژي، آينده روشن تري را چه از بعد اقتصادي و چه از بعد پاسخگويي به نيازهاي حال و آينده نويد مي‌دهد در نتيجه پافشاري طرفداران تكنيكهاي پردازش ولتاژي متوقف خواهد شد؟ كه تاريخ علم و طبيعت كمال طلب انسان و ضرورت پاسخگويي نيازهاي روزافزون چنين اتفاقي را رد مي‌كند. به نظر مي‌رسد براي برون رفت از اين بن بست، يافتن روشهاي جديد پردازش سيگنال كه سازگار با بهبودهاي حاصله و ارتقاء سطح تكنولوژي باشد اجتناب ناپذير است.

از ساليان بسيار دور و قبل از دوران پيدايش عناصر فعال و عصر الكترونيك و به احتمال قوي به دليل حضور ولتاژ به عنوان منبع تأمين انرژي براي مدارات و وسايل مورد كاربرد، سيگنال ولتاژ به عنوان متغير اصلي براي پردازش بكار گرفته شد. همچنين ساده تر بودن اندازه گيری ولتاژ دو سر يک امپدانس از اندازه گيری جريان عبوری آن بر قوت اين انتخاب افزود. عمر دراز اين حضور كه البته باعث پيدايش تئوريها، قوانين و تكنيكهاي حل و طراحي مدارات متعدد نيز گرديد، سبب شد تا تكنيك پردازش ولتاژي بصورت عادت طراحان و تحليل گران مدار در آيد.

اين عادت تا بدان حد قوي و ريشه دار بود كه حتي پس از پيدايش ترانزيستور و عليرغم رفتار آن بصورت يك منبع جريان (BJT به عنوان CCCS و FET به عنوان VCCS) نيز پايدار ماند و تمام تلاش طراحان و كاربران بر تبديل جريان خروجي ترانزيستور به ولتاژ و سپس پردازش و يا استفاده از آن متمركز شد.

حالت جريان (Current- Mode) حالتي است كه :

۱- سيگنال جريان به عنوان متغير اصلي مورد پردازش و يا استفاده قرار مي‌گيرد.

بنابراين از طرفي نه تنها سيگنال ورودي و خروجي مدار و يا سيستم جريان است بلكه در سراسر مسير از ورودي تا خروجي نيز سيگنال جريان مورد پردازش قرار مي‌گيرد. بدين علت و در نقطه مقابل مدارات حالت ولتاژ، در مدارات حالت جريان هيچ گره امپدانس بالا وجود ندارد. در حالت ايده آل مقاومتهاي موجود در مدارصفر و ظرفيتهاي خازني گره هامیباشند و در عمل اين مقادير در حدي است كه توسط حد مجاز نوسان سيگنال ولتاژي هر گره و پهناي باند لازم براي كاربرد تعيين مي‌شود و بدين ترتيب در حالت ايده آل هيچ محدوديتي براي دامنة نوسانات سيگنال جرياني وجود ندارد و در عمل اين محدوديت به محدوديتهاي ناشي از تكنولوژي ساخت ادوات فعال و ظرفيت جريان دهي منابع تغذيه ختم مي‌شود.

۲- ادوات فعال مورد استفاده نيز بايد از نوع منابع جريان كنترل شده با جريان CCCS باشند. پس اين حالت كار همانطوري كه در ابتداي بحث آمد يك پديده كاملاً مبتني بر تكنولوژي روز و خوشبختانه سازگار با بهبودها و پيش بيني هاي مربوط به اين تكنولوژي مي‌باشد.

۱-۳- مزاياي كار در حالت جريان

در صورت برقراري شرايط يادشده براي حالت جريان امتيازات زير دست يافتني است:

۱- افزايش محدودة كار ديناميكي:

كاهش سطح مقاومت از طرفي باعث افزايش حد بالاي سيگنال جريان شده و از طرف ديگرسبب كاهش نويز گرمايي (كه در مدارات شامل عناصر فعال كم نويز، منبع نويز غالب به شمار مي‌رود) مي‌شود. همچنين در سايه پيشرفت تكنولوژي، كاركرد مدارات مد جريان با جريان تغذيه چند “فمتو آمپر” نيز گزارش شده است كه خود نويد دهندة كاهش شديد سطح نويز عناصر فعال مدار نيز مي‌باشد. بدين ترتيب به نظر مي‌رسد كه استعداد ذاتي كار در حالت جريان از نظر محدوده كار ديناميكي نه تنها بسيار بيشتر از حالت ولتاژ بلكه فراتر از نياز پيش بيني شده براي تكنولوژي در حال پيشرفت سريع مي‌باشد.

۲- كاهش سطح ولتاژ و توان مصرفي:

كاهش امپدانس گره ها باعث كاهش دامنة نوسانات ولتاژ گره ها و در نتيجه كاهش ولتاژ نقطه كار و به تبع آن توان مصرفي مدار مي‌شود (شكل ۳) .

در عمل سقف اين ولتاژ به حدود ولتاژهاي لازم براي راه اندازي مدار (و بنابراين متغير براي كلاس كارهاي مختلف) و شرايط تغذيه و محدودة كار خطي (كه به دليل كاهش مقاومت بار بسيار فراتر از حالت ولتاژي است) عنصر فعال (و بنابراين متغير براي عناصر فعال مختلف) محدود مي‌شود.

شكل ۳: مقايسه توان مصرفي و ولتاژ تغذيه در کلاس‌هاي A و B بين حالت ولتاژ و حالت جريان

در عمل سقف اين ولتاژ به حدود ولتاژهاي لازم براي راه اندازي مدار (و بنابراين متغير براي كلاس كارهاي مختلف) و شرايط تغذيه و محدودة كار خطي (كه به دليل كاهش مقاومت بار بسيار فراتر از حالت ولتاژي است) عنصر فعال (و بنابراين متغير براي عناصر فعال مختلف) محدود مي‌شود.

۳- افزايش سرعت و پهناي باند:

نبود مقاومت در مسير جريان باعث افزايش سرعت مدار (sr) كه از تنگناهاي جدي كار در حالت ولتاژي است مي‌شود. همچنين پهناي باند فركانسي حالت جريان مدار كه در حالت ولتاژي به دليل وجود گره امپدانس بالا (لازمة انتقال بهينه سيگنال ولتاژي) رابطه معكوس با بهره دارد (حاصل ضرب بهره در پهناي باند مقداري است ثابت) تا پهناي باند ذاتي ترانزيستور (fT) افزايش مي‌يابد.

استفاده از فيدبك سيگنال جريان نه تنها باعث افزايش پهناي باند مدارات حالت جريان شده بلكه باعث شده است تا اصل ” ثابت بودن حاصل ضرب بهره در پهناي باند ” حتي در تقويت كننده هاي ولتاژي كه از اين نوع فيدبك استفاده كرده اند منتفی و به مزيت ثابت ماندن پهناي باند در بهره هاي مختلف (و در مواردي حتي افزايش پهناي باند به همراه افزايش بهره) تبديل شود (شكل ۴).

شكل ۴

براي تغيير فضاي بحث از حالت انتزاعي به حالت عملي به بررسي پهناي باند در دو مدار پايه اي حالت ولتاژ و حالت جريان مي‌پردازيم. در شكل ۵، يك آپ امپ در حالت بافر كه بيشترين پهناي باند ممكن را دارد (fT آپ امپ) نشان داده شده است.

شكل ۵

در اين مدار (ولتاژ پيرو) داريم:

حال به بررسي پاسخ فركانسي همتاي اين مدار در حالت جريان (بافر جرياني يا جريان پيرو) مي‌پردازيم.

مدار جريان پيرو (C.F.) كه به منظور مقايسه منصفانه حول همان آپ- امپ ساخته شده است در شكل ۶ نشان داده شده است.

شكل ۶

در اين مدار داريم :

بنابراين پاسخ مدار “جريان پيرو ” مستقل از fT آپ- امپ بوده و پهناي باند آن پهناي باند (يا ضريب انتقال آينه هاي جريان) مي‌باشد. آينه هاي جريان به مراتب از آپ- امپ ساده تر و داراي ساختاري متفاوت با آن بوده و پهناي باند آنها به تناسب پيچيدگي و حجم و طراحي مدارات داخلي آپ- امپ از پهناي باند آپ- امپ بيشتر مي‌باشد.

دليل اين امر، (نزديك به) صفر بودن ولتاژ و امپدانس ورودي و خروجي آپ- امپ مي‌باشد كه باعث مي‌شود هم در ورودي و خروجي و هم در گره هاي داخل آپ- امپ، خازنهاي پراكنده و خازن جبرانسازي مجال فعاليت پيدا نكنند. در حاليكه در مُد ولتاژ، ولتاژهاي گره هاي بيروني (خروجي و ورودي) و دروني (طبقات مياني و نهايي) بالاتر رفته و پهناي باند به تناسب مقدار اين ولتاژها و خازنهاي فعال شده كاهش يابد.

در مدارات RC از آنجايي كه ناچار از استفاده امپدانس براي تبيين توابع انتقالي لازم و به عبارت ديگر ناگزير از ايجاد موانع براي بعضي فركانسها و تسهيلات براي بعضي ديگر (كه معني و منظور فيلتر كردن مي‌باشد) هستيم موضوع كمي فرق مي‌كند و ما ناچار از ايجاد موانع و گره هاي امپدانسي منطبق بر تابع انتقالي مورد نظر مي‌باشيم. از اين رو در اين مدارات ضمن تأكيد بر پردازش سيگنال جرياني، لازم است تا سقف سيگنال ولتاژي گره هاي مانع را در سقف مجاز و استاندارد ولتاژ نگهداريم. اما در همين مدارات نيز با مثال ساده اي كه در شكل ۷ نشان داده شده است مي‌توان به آمادگي ذاتي كار در حالت جريان براي عمل بهتر در فركانسهاي بالا پي برد.

مدار RC پايين گذر حالت ولتاژي

حال اگر در اين مدار سيگنال جريان را پردازش كنيم مدار ۷- ب را خواهيم داشت كه تابع انتقال آن، تابع يك صافي بالا گذر است.

۴- رفتار كيفي تر خازن ها در حالت جريان

اولاً استفاده از ترانزيستورها در حالت ولتاژي باعث فعال شدن خازن “ميلري” در فركانسهاي بالا و در نتيجه فيدبك منفي و كاهش بهره و نهايتاً پهناي باند مدار مي‌شود. در حالي كه در حالت جريان به دليل امپدانس پايين گره مربوطه اين اتفاق نمي افتد. ثانياً در تئوري و عمل ثابت شده است كه در مدارات شامل خازن (اعم از اينكه خازن واقعي و يا پارازيتي باشد) تلفات انرژي در حالت جرياني كمتر از حالت ولتاژي مي‌باشد همچنين و بخصوص در مدارات ديجيتالي پاسخ مدار به سيگنالهاي ولتاژي (برخلاف سيگنالهاي جرياني) غير خطي بوده و از طرفي زمان رسيدن به دقت هاي بالا را طولاني مي‌كند(و بنابراين تحقق دقتهاي بالا نقطه مقابل فركانس بالا است) و از طرف ديگر در بهترين شرايط تحريك (كه اتفاقاً موج تحريك ولتاژي شيب دار است و نه مربعي) افزايش زمان شارژ منجر به افزايش توان مي‌شود و بنابراين دقت بالا در نقطه مقابل راندمان بالا (تلفات حداقل) نيز قرار مي‌گيرد. اين موضوع در خازنهاي پارازيتي به دليل داشتن ظرفيت غيرخطي (وابسته بودن خازن به ولتاژ دو سر آن كه طبيعتاً در حالت كار ديناميكي با زمان تغيير مي‌كند) بدتر مي‌شود. خوشبختانه اين اشكالات در كار با سيگنالهاي جرياني وجود ندارد.

اين اشكالات گرچه در همه مدارات در حالت كار ولتاژي مورد انتظار است اما بخصوص در مدارات فيلتر، مشتق گير و انتگرال گير و مدارات ديجيتالي بطور قوي تري ظاهر مي‌شود. لازم است يادآوري شود كه يكي از تفاوتهاي عمدة مدارات آنالوگ با مدارات ديجيتال اين است كه در مدارات آنالوگ فقط در طبقات پاياني سيگنال بزرگ بوده و احتمال بروز خطاي غيرخطي قوت مي‌گيرد. در حالي كه در مدارات ديجيتال در تمام بخشهاي مدار از ابتدا تا انتها سيگنال ماگزيمم بوده و بنابراين حسب تركيب مدار امكان انباشته شدن خطاهاي ناشي از عملكرد خازنها (اعم از تأخير زماني و بنابراين محدوديت فركانسي،محدود شدن زمان استقرار و بنابراين كاهش دقت، و افزايش توان مصرفي) وجود دارد.

خوب است به نكته ظريف ديگري نيز اشاره كرد و آن اينكه اصولاً انتقال اطلاعات و حركت در طول پردازشگر مستلزم وجود جريان الكتريكي است و اين بدين معني است كه ما در حالت ولتاژ به ناچار مرتباً ولتاژ را به جريان و جريان را به ولتاژ تبديل و در هركدام از اين تبديل ها به تناسب RC درگير، زمان، دقت و انرژي را از دست ميدهيم. در حالي كه در پردازش جرياني و با توجه به اينكه سيگنال خروجي ترانزيستورها جريان است نياز به هيچ تبديلي از اين نوع نيست ضمن اينكه به همين دليل مدارات حالت جريان نيز ساختارهاي ساده تري از نوع ولتاژي داشته و ضمن ساده تر كردن طراحي جاي كمتري را نيز در روي تراشه اشغال مي‌كنند.

۵- عدم نياز به همجوري امپدانس‌ها

در مدارات حالت جريان به دليل كم شدن امپدانس نيازي به همجوري مقاومتها و خازنها در حد حالت ولتاژي نيست. عناصر گذرا (مقاومت، خازن، سلف) به عنوان عناصر مبدل جريان به ولتاژ، در صورت ناهمجور بودن خطاي ولتاژي ايجاد مي‌كنند و طبيعي است كه خطاي ولتاژي در پردازش حالت ولتاژي كه اطلاعات بصورت ولتاژ است به خطا در اطلاعات تبديل مي‌شود و نه در حالت پردازش جرياني.

۶- ساده تر شدن انجام عمليات رياضي در حالت جريان

در صورتي كه پارامترهاي رياضي بصورت سيگنال جريان تعريف شوند عمليات رياضي (جمع، ضرب، تقسيم، تفريق، مشتق، انتگرال، لگاريتم، انتي لگاريتم و…) ساده تر انجام شده و به دليل وجود گره هاي در ولتاژ زمين، خطا در عمليات نيز به حداقل خواهد رسيد. به عنوان مثال خواص آپ- امپ را در حالت معكوس (جرياني) با غيرمعكوس (ولتاژي) مقايسه كنيد.در مبحث تراخطي اين امتياز به خوبي روشن خواهد شد.

۷- گستره وسيع كاربردي

موارد متعددي وجود دارندكه سيگنال اوليه و يا انتهايي و يا هر دو از نوع جريان باشند و طبيعي است كه پردازش اين سيگنالها در حالت جريان بر پردازش در حالت ولتاژي رجحان دارد ضمن اينكه عموم مدارات و بلوكهاي ولتاژي را مي‌توان به كمك قضاياي تبديل و تغيير مدارات به همتاي جرياني آنها تبديل و نتايج بهتري گرفت  بنابراين كار در حالت جريان مي‌تواند امتيازات اين حالت كار را به گستره وسيعي از مدارات تعميم دهد.

۸-ساده تر بودن مدارات

از آنجایی که خروجی ترانزیستورها ( عنصر اصلی پردازشگرهای فعال ) جریان می باشد بنابراین پردازش جریان مستقیماً امکان پذیر است ( بر خلاف پردازش ولتاژ که مستلزم تبدیل جریان خروجی ترانزیستورها به ولتاژ IVC و سپس انجام پردازشهای لازم می باشد ). این امتیاز باعث سادگی و کوچک شدن اندازه پردازشگرهای جریانی در مقایسه با نوع ولتاژی می شود. به عنوان نمونه در شکل ۸- الف و ۸- ب به ترتیب مدار جریانی و ولتاژی یک فیلتر ( گذرا-RLC  ) مرتبه دوم نشان داده شده است. در شکل ” الف ” IC(t) ، IL(t) و IR(t) به ترتیب معرف پاسخ بهره واحد فیلتر  HP،LP و BP می باشند و در شکل “ب” VL(t) ، VC(t) و VR(t) همین نقش را ایفا می نمایند. نگاهی به دو مدار نشان می دهد که استخراج این پاسخ ها در مدار حالت جریان نیاز به یک پردازشگر جریان پیرو ساده ( به دلیل وجود گره زمین مشترک از طرفی و سیگنال جریان بودن خروجی ترانزیستورها از طرف دیگر) دارد. در حالی که انجام این عمل درمدار ولتاژی از یک پردازشگر ولتاژ پیرو ساده ساخته نیست ( به دلیل شناور یا تفاضلی بودن VC(t) و  VL(t)) بلکه نیازمند استفاده از یک تقویت کننده ولتاژی ابزار دقیق و یا حداقل یک تقویت کننده ولتاژی تفاضلی می باشد که مداری پیچیده تر، بزرگتر و پرمصرف تر است. این مطلب در جمع دو به دوی خروجیهای یادشده به منظور تحقق سایر پاسخهای متغیر ( AP و BS ) نیز صدق می کند.

شکل۸

  • ۱-۴- آينده كار در حالت جريان

استعدادهاي ذاتي حالت جريان كاملاً منطبق بر مزيت هاي تكنولوژي CMOS (كاهش مصرف، ولتاژ تغذيه و سطح اشغالي، افزايش محدودة ديناميكي و دقت، سادگي طراحي و مدار) و ويژگيهاي تكنولوژي ممتازي چون BICMOS و GaAs (سرعت و پهناي باند زياد) مي‌باشد.

متأسفانه اصرار بر استفاده از تكنيكهاي ولتاژي در پردازش سيگنال و طراحي مدارات باعث شده است تا از امتيازات تكنولوژيهاي پيشرفته اي چون HBT, HEMT, GaAs, MESFET (سرعت و پهناي باند زياد) نتوان استفادة كامل برد. در اقدامات معدودي كه براي بكار گيري مدارات يادشده در حالت جريان انجام شده است در شرايط مشابه، سرعت بيش از يك دهه افزايش يافته است […, ۱۷, ۱ ]. اين اقدامات زمينه مساعدي را براي استفاده از تكنيكهاي حالت جريان در مدارات با فركانس هاي راديويي و ميكرو ويو و همچنين الكترونيك نوري فراهم آورده است.

در حال حاضر بلوكهاي پردازشگر و سيستمهاي الكترونيكي متعددي بر مبناي حالت جريان طراحي و معرفي شده اند كه از آن جمله مي‌توان موارد زير را نام برد. مدارات متعدد آينه جريان، ناقل هاي جريان، كپي گرهاي جريان، آينه هاي جريان ديناميك، سلول گيلبرت و مدارات مبتني بر آن، تقويت كننده هاي تراهدايتي (OTA يا gm-Amp)، ترارساناها، انتگرال گيرها، تقويت كننده هاي مقاومت انتقالي Rm-Amp تقويت كننده هاي با فيدبك جرياني (CFA)، تقويت كننده هاي عملياتي جريان (COA)، بافرهاي جرياني، تقويت كننده هاي ابزار دقيق، نوسانسازها، مقايسه گرها، مدارات آشوبي، مدارات فازي، شبكه هاي عصبي، مدارات نمونه گير و نگهدارنده (T/H , S/H)، مبدلهاي آنالوگ به ديجيتال و ديجيتال به آنالوگ، فيلترها، FPGA، بلوكهاي ديجيتالي … , MVL , CML، سلولهاي حافظه ، مدارات جريان كليد شده (S3I , S2I , SI) و يا جريان ديناميكي، الكترونيك صنعتي، ابزار دقيق و….

عليرغم چاپ و انتشار دهها هزار مقاله كه حاصل كار هزاران محقق مي‌باشند بنظر مي‌رسد كه هنوز در حد استعدادها و امتيازات اين تكنيك بدان پرداخته نشده است. در مدارات معرفي شده هر كجا با دقت و ابتكار، شرايط كار حالت جريان در تمامي مدار ايجاد شده است، نتايج مورد انتظار بدست آمده است و هر كجا در بخشي از مدار اين شرايط مستقر شده است بنا به اهميت وگسترۀ آن بخش  نتايج محدودتري كسب شده است. عليهذا، به موج جديدي از تلاش و تحقيق براي معرفي بلوكهاي كاملاً جرياني در راستاي نيازهاي دنياي كاربرد و همچنين اصلاح ساختارهاي معرفي شده داراي ضعف به منظور ارتقاء عملكرد آنها نياز است، تلاش و تحقيقي كه بخصوص مشاركت عميق و وسيع محققين جوان را مي‌طلبد.

 

برای دانلود پروژه های مدارهای حالت جریان اینجا کلیک کنید

 

خوشحال می‌شویم نظرات خود را در زیر این پست ارسال نمایید.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *