مدارهای حالت جریان و توان‌پایین

مدارهای حالت جریان و توان‌پایین

استعدادهاي ذاتي حالت جريان كاملاً منطبق بر مزيت هاي تكنولوژي CMOS (كاهش مصرف، ولتاژ تغذيه و سطح اشغالي، افزايش محدودة ديناميكي و دقت، سادگي طراحي و مدار) و ويژگيهاي تكنولوژي ممتازي چون BICMOS و GaAs (سرعت و پهناي باند زياد) مي‌باشد.

متأسفانه اصرار بر استفاده از تكنيكهاي ولتاژي در پردازش سيگنال و طراحي مدارات باعث شده است تا از امتيازات تكنولوژيهاي پيشرفته اي چون HBT, HEMT, GaAs, MESFET (سرعت و پهناي باند زياد) نتوان استفادة كامل برد. در اقدامات معدودي كه براي بكار گيري مدارات يادشده در حالت جريان انجام شده است.

مدارهای حالت جریان و توان‌پایین:

در حال حاضر بلوكهاي پردازشگر و سيستمهاي الكترونيكي متعددي بر مبناي حالت جريان طراحي و معرفي شده اند كه از آن جمله مي‌توان موارد زير را نام برد. مدارات متعدد آينه جريان، ناقل هاي جريان، كپي گرهاي جريان، آينه هاي جريان ديناميك، سلول گيلبرت و مدارات مبتني بر آن، تقويت كننده هاي تراهدايتي (OTA يا gm-Amp)، ترارساناها، انتگرال گيرها، تقويت كننده هاي مقاومت انتقالي Rm-Amp تقويت كننده هاي با فيدبك جرياني (CFA)، تقويت كننده هاي عملياتي جريان (COA)، بافرهاي جرياني، تقويت كننده هاي ابزار دقيق، نوسانسازها، مقايسه گرها، مدارات آشوبي، مدارات فازي، شبكه هاي عصبي، مدارات نمونه گير و نگهدارنده (T/H , S/H)، مبدلهاي آنالوگ به ديجيتال و ديجيتال به آنالوگ، فيلترها، FPGA، بلوكهاي ديجيتالي … , MVL , CML، سلولهاي حافظه ، مدارات جريان كليد شده (S³I , S²I , SI) و يا جريان ديناميكي، الكترونيك صنعتي، ابزار دقيق و….

گزارش درس مدارهای حالت جریان و توان‌پایین

برای مشاهده جزئیات بیشتر روی عکس‌ها کلیک کنید